Micro LED，又称为 mLED 或μLED，由微米级半导体发光单元阵列组成，是一种将电能转化为光能的电致发光器件，可以通过巨量转移批量地转移到驱动电路基板上，驱动电路基板可以为硬性或柔性衬底。然后利用物理气相沉积等方法在其上制备保护层和外接电极，最后进行封装。其中LED是由II-VI和III-V族化合物，如GaAs( 砷化镓 )、GaP ( 磷化镓 )、GaAsP( 磷砷化镓 )、GaN( 氮化镓 ) 等半导体制成的，其核心结构是由p型半导体和n型半导体材料形成的pn结组成的。

　　当对LED施加正向电压时，通过电极从n型半导体和n型半导体经过分别向空间电荷区注入电子和空穴，并在结区复合发光。Micro-LED显示技术就是在微型发光二极管(LED)的基础上进行微缩化与矩阵化，其单个发光单元尺寸在50 μm以下，且较高密度地集成在芯片上。

　　业内不同公司对 Micro LED 的定义不同，PlayNitride 和 Sony 公司定义 LED 芯片尺 寸小于 50μm，或发光区域小于 0.003mm²称之为 Micro LED，介于普通 LED 和 Micro LED 之间的称之为 Mini LED。

　　Micro-LED芯片可分为正装结构、倒装结构、垂直结构等三种主要的结构。为进一步提高性能，还可加入量子点、光栅、荧光陶瓷、光子晶体、分布式布拉格反射镜等附加结构。