AR MicroLED不涉及巨量转移技术，但存在侧壁效应、红光效率低、全彩化技术复杂等难点。
一、AR MicroLED不涉及巨量转移技术：巨量转移(将LED硅晶圆基板上生长的Micro LED转移到驱动背板)是MicroLED量产制造核心难题，转移良率和精准度要求极高，但由于AR显示器面积小，像素尺寸和间距只有几微米，不涉及巨量转移技术。
二、MicroLED侧壁效应：MicroLED像素尺寸缩小、芯片的周长面积比增大，导致侧壁的表面复合增多，非辐射复合速率变大，从而致使光电效率下降，此外器件制备过程中的ICP刻蚀也会加重侧壁缺陷，侧壁效应会影响Micro LED实际功耗表现。
三、 MicroLED红光效率不足：蓝光、绿光LED是在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上生长 InGaN 等三元材料，红光 LED 大多是在GaAs 衬底上生长 AlGaInP 四元材料，相较于蓝绿光，AlGaInP红光MicroLED尺寸减小导致效率下降更为明显。材料创新
(例如InGaN红光MicroLED )和技术优化是解决MicroLED红光效率不足的主要途径，23年10月JBD宣布其0.13英寸MicroLED红光芯片亮度突破100万尼特大关，其中，新一代AlGaInP 外延技术极大减弱了 MicroLED 表面非辐射复合影响，延缓了红光 MicroLED 在<5um 尺寸下的光效急剧衰减的趋势，结合芯片钝化技术，进一步突破了红光尺寸效应瓶颈。
