Micro LED有一个简称是MLED，那相信uLED大家应该也能听懂，因为Micro LED的灯珠间距已经远远突破了MM(毫米)走向了UM(微米)，再告诉大家一个换算公式：1毫米等于1000微米(um)，现在大家应该对Micro LED相当震惊了吧?

　　当然新的技术也会有自己的困难需要突破，如何将微米级的LED芯片贴在驱动基板之上?巨量转移技术是Micro LED显示技术中的关键步骤，旨在将大量微小的LED芯片从生长基板高效、精确地转移到目标驱动基板上，以构建高密度、高质量的显示阵列。

　　由于Micro-LED的尺寸远小于常规LED，转移过程具有极高的挑战性，尤其是在数量、速度、精度、良率、稳定性和成本方面。因此，巨量转移技术成为了Micro-LED技术实现大规模产业化的关键所在。

　　Micro LED巨量转移技术有很多种，业界已经提出了多种巨量转移工艺，包括图章拾取转移、自对准滚印、静电力转移、电磁力转移、流体自组装转移，但这些工艺都存在不足和局限性。

　　从众多Micro LED巨量转移技术中脱颖而出的是谁?激光辅助转移技术是通过激光穿过透明基板后对响应层材料发生光热或光化学反应，使得微器件与响应层材料界面之间产生直接分解、形成鼓泡、应力辅助等界面现象，通过控制工艺参数来调控激光响应层材料和微器件的界面粘附力以使芯片脱落达到转移目的。