Micro led显示屏的巨量转移技术三大流派分析
来源:壹品视界发布时间:2025-05-16 15:54:49

  当我们国内的折叠屏手机上行其道的时候,很多人都看到了国人的努力成果,从以前的向西方美学看齐到现在的为中国制造点赞,有很多一线的研发人员研究学者为之努力不止,Micro LED显示屏已经覆盖我们的生活许多场景之中,小到手机、手表、电动两轮、四轮车仪表盘、大到平板、笔电、电视会议机、教育黑板、商业大屏、5D空间、摄影棚、电影院等。Micro led显示屏的巨量转移技术主要有三大流派,一起来看看。

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  (1)接触式转移技术

  静电力转移:利用双电极结构产生静电力吸附和释放芯片,代表企业包括苹果收购的LuxVue,其转移良率高但需严格控制芯片位置和高度。

  范德华力转移(微印章技术):通过弹性印章的粘附力调控实现芯片转移,如X-Celeprint的弹性印章技术,但存在印章易损耗、制备复杂的问题36。

  磁力转移:在LED芯片中嵌入磁性材料(如镍),通过电磁力控制转移,韩国KIMM的滚轴转印技术效率比传统方式快1万倍。

  (2)非接触式激光技术

  激光诱导前向转移(LIFT):利用激光烧蚀动态释放层,推动芯片转移。Coherent公司的LIFT技术可处理0.1-6mm²的器件,Uniqarta的改进版BB-LIFT通过“泡罩”减少损伤,转移效率达1400万颗/小时。

  激光剥离(LLO):通过紫外激光分解GaN与蓝宝石衬底的界面,实现批量分离,Optovate的p-LLO工艺结合剥离与转移,适用于高精度需求。

  (3)自组装技术

  流体自组装:利用流体力学和表面张力引导芯片落入目标基板的井中,如eLux的流体装配技术。

  磁力辅助介电泳(MDSAT):LG提出的新技术,结合磁力和介电泳力,15分钟内完成RGB三色转移,良率达99.99%,显著提升效率。


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